بر اثر اعمال ولتاژ به سیم پیچ اولیه ترانسفورماتور هسته به حال اشباع رفته در نتیجه باعث افزایش رلوکتانس و به ندبال آن کاهش اندوکتانس مدار شده و نهایتا جریان قابل توجهی توسط ترانسفورماتور کشیده میشود ، این پدیده که به جریان هجومی مغناطیس کننده ترانسفورماتور ها معروف است ، درلحظات اولیه برقدار شدن از سال ها قبل به صورت یه مسئله در طراحی و استعمال رله های دفرانسیل ترانس ها مطرح بوده است ، زیرا دامنه بزرگ ها میتواند باعث قطع غیر لزوم مدار ترانس ها گردد . این جریان تنها در طرف اولیه ترانس ها اتفاق می افتد و باعث میشود که رله دیفرانسل آن را به صورت خطای داخلی ببیند . با تحلیل و آنالیز جریان هجومی درمیابیم که این جریان دارای هارمونی دومی میباشد که دامنه آن بیش از سایر هارمونیک های موجود است که با استفاده از وسایل تشخیص هارمونیک دوم میتوان در صورت برقدار نمودن ترانسفورماتور های قدرت از قطعی ناخواسته در آنها جلوگیری نمود. در سیستم های قدرت متناوب شکل موج ولتاژ و شار تقریبا به صورت توابعی سینوسی از زمان هست که در ادامه بحث به مشخصه و مدل کلی مدار مغناطیسی پرداخته شده است .

پارامتر های موثر بر جریان هجومی ، شامل سطح مقع آهن هسته ، تحریک اسمی ، تعداد دور ها ، ابعاد سیم پیچ ها ، مشخصه ورق های مغناطیسی ، شامل پسماند و اشباع ، شرایط آهن هسته و مقدار ولتاژ متناوب در لحظه کلید زنی

برای دانلود این مقاله ی مفید بر روی دریافت فایل کلیک نمائید

زبان : فارسی نوع فایل: PDF حجم: 221 کیلوبایت تعداد صفحات: 11 صفحه

نظرات شما عزیزان:

نام :

آدرس ایمیل:

وب سایت/بلاگ :

متن پیام:

نظر خصوصی

 کد را وارد نمایید:

 

 

 

عکس شما

آپلود عکس دلخواه: